型号/品牌/封装
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价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: DPAK N-CH 20V 60A669120-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: 双极性晶体管描述: BCX5516TA NPN三极管 60V 1A 150MHZ 100~250 0.5V SOT-89 MARKING/标记 BM305520-49¥0.486050-99¥0.4500100-299¥0.4320300-499¥0.4176500-999¥0.40681000-4999¥0.39965000-9999¥0.3924≥10000¥0.3852
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品类: MOS管描述: N沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFET31865-24¥3.969025-49¥3.675050-99¥3.4692100-499¥3.3810500-2499¥3.32222500-4999¥3.24875000-9999¥3.2193≥10000¥3.1752
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品类: 双极性晶体管描述: BC807 系列 45 V 500 mA 表面贴装 PNP 通用 晶体管 - SOT-23-3905920-49¥0.054050-99¥0.0500100-299¥0.0480300-499¥0.0464500-999¥0.04521000-4999¥0.04445000-9999¥0.0436≥10000¥0.0428
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品类: JFET晶体管描述: Thermally-Enhanced High Power RF GaN HEMT 170W, 50V, 2620 - 2690MHz430520-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT5P10TF. 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 1A SOT-22376815-24¥2.646025-49¥2.450050-99¥2.3128100-499¥2.2540500-2499¥2.21482500-4999¥2.16585000-9999¥2.1462≥10000¥2.1168
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。80345-24¥2.605525-49¥2.412550-99¥2.2774100-499¥2.2195500-2499¥2.18092500-4999¥2.13275000-9999¥2.1134≥10000¥2.0844
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQS4901TF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 450 mA, 400 V, 3.2 ohm, 10 V, 4 V64225-24¥4.954525-49¥4.587550-99¥4.3306100-499¥4.2205500-2499¥4.14712500-4999¥4.05545000-9999¥4.0187≥10000¥3.9636
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品类: MOS管描述: 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET11191-9¥47.238410-99¥44.5280100-249¥42.5146250-499¥42.2048500-999¥41.89501000-2499¥41.54662500-4999¥41.2368≥5000¥41.0432
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R48215-49¥19.913450-199¥19.0624200-499¥18.5858500-999¥18.46671000-2499¥18.34762500-4999¥18.21145000-7499¥18.1263≥7500¥18.0412
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。4910
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品类: 双极性晶体管描述: 50V,0.1A,NPN/PNP复合晶体管682120-49¥0.202550-99¥0.1875100-299¥0.1800300-499¥0.1740500-999¥0.16951000-4999¥0.16655000-9999¥0.1635≥10000¥0.1605
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品类: MOS管描述: 智能电源模块, 3相, 500V, 3A, 电路板安装54465-49¥25.517750-199¥24.4272200-499¥23.8165500-999¥23.66391000-2499¥23.51122500-4999¥23.33675000-7499¥23.2277≥7500¥23.1186
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。507810-99¥7.2840100-499¥6.9198500-999¥6.67701000-1999¥6.66492000-4999¥6.61635000-7499¥6.55567500-9999¥6.5070≥10000¥6.4828
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC86261P, 2.7 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 33封装279510-99¥11.9400100-499¥11.3430500-999¥10.94501000-1999¥10.92512000-4999¥10.84555000-7499¥10.74607500-9999¥10.6664≥10000¥10.6266
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品类: MOS管描述: P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET415710-99¥9.7560100-499¥9.2682500-999¥8.94301000-1999¥8.92672000-4999¥8.86175000-7499¥8.78047500-9999¥8.7154≥10000¥8.6828
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6982AS, 6.3 A,8.6 A, Vds=30 V, 8引脚57475-24¥5.494525-49¥5.087550-99¥4.8026100-499¥4.6805500-2499¥4.59912500-4999¥4.49745000-9999¥4.4567≥10000¥4.3956
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6984AS, 5.5 A,8.5 A, Vds=30 V, 8引脚18145-24¥3.766525-49¥3.487550-99¥3.2922100-499¥3.2085500-2499¥3.15272500-4999¥3.08305000-9999¥3.0551≥10000¥3.0132
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDME1023PZT, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MicroFET 薄型封装61155-24¥3.793525-49¥3.512550-99¥3.3158100-499¥3.2315500-2499¥3.17532500-4999¥3.10515000-9999¥3.0770≥10000¥3.0348
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品类: MOS管描述: 双N沟道(半桥) 24V 7A39455-24¥4.131025-49¥3.825050-99¥3.6108100-499¥3.5190500-2499¥3.45782500-4999¥3.38135000-9999¥3.3507≥10000¥3.3048
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品类: MOS管描述: 电源转换器拓扑和MOSFET选择48 -V电信 Power Converter Topology and MOSFET Selection for 48-V Telecom304310-99¥7.0680100-499¥6.7146500-999¥6.47901000-1999¥6.46722000-4999¥6.42015000-7499¥6.36127500-9999¥6.3141≥10000¥6.2905
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品类: MOS管描述: 40V N沟道PowerTrench MOSFET的 40V N-Channel PowerTrench MOSFET19325-49¥13.759250-199¥13.1712200-499¥12.8419500-999¥12.75961000-2499¥12.67732500-4999¥12.58325000-7499¥12.5244≥7500¥12.4656
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品类: MOS管描述: N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET31225-24¥5.238025-49¥4.850050-99¥4.5784100-499¥4.4620500-2499¥4.38442500-4999¥4.28745000-9999¥4.2486≥10000¥4.1904
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品类: MOS管描述: TO-252AA N-CH 30V 12A653920-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD1600N10ALZD, 6.8 A, Vds=100 V, 5引脚 DPAK (TO-252)封装798410-99¥8.7120100-499¥8.2764500-999¥7.98601000-1999¥7.97152000-4999¥7.91345000-7499¥7.84087500-9999¥7.7827≥10000¥7.7537
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6561AN 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.082 ohm, 10 V, 1.8 V96915-24¥3.132025-49¥2.900050-99¥2.7376100-499¥2.6680500-2499¥2.62162500-4999¥2.56365000-9999¥2.5404≥10000¥2.5056
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品类: MOS管描述: FDD6637 系列 35 V 11.6 mOhm P 沟道 PowerTrench Mosfet TO-25237875-24¥5.130025-49¥4.750050-99¥4.4840100-499¥4.3700500-2499¥4.29402500-4999¥4.19905000-9999¥4.1610≥10000¥4.1040
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB754620-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000